一种制备基于垂直二维材料的纳米机电系统的工艺方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201410262404.8
IPC分类号：B81C1/00;B82Y40/00
申请日期：
2014-06-13
申请人：
北京工业大学

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专利名称	一种制备基于垂直二维材料的纳米机电系统的工艺方法
申请号	CN201410262404.8	申请日期	2014-06-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2014-09-10	公开/公告号	CN104030235A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	北京工业大学	申请人地址	北京市朝阳区平乐园100号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京工业大学	当前权利人	北京工业大学
发明人	孙捷;邓世桂;郭伟玲;黄旸
代理机构	北京思海天达知识产权代理有限公司	代理人	刘萍

摘要

一种制备基于垂直二维材料的纳米机电系统的工艺方法，属于纳米机电系统制备领域。在绝缘衬底上生长一层支撑体，然后图案化处理，生长一层金属催化剂层，进行图案化处理，形成支撑体‐金属催化剂‐支撑体阵列结构；支撑体和金属催化剂层的上表面和侧面用CVD法同时生长二维材料；二维材料的上表面和侧面旋涂一层聚合物，掩盖支撑体、金属催化剂层和二维材料；刻蚀聚合物直至刻蚀到支撑体和金属催化剂层的上表面出现，并将暴露出的附着在上表面的二维材料也刻蚀掉；将金属催化剂在溶液中腐蚀掉，并把聚合物溶解，释放出悬浮的垂直二维材料；干燥。本发明实现了可控地制备垂直二维材料，令使用二维材料制备3D结构的纳米机电系统成为可能。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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