三氯硅烷制造装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201110020020.1
IPC分类号：C01B33/107
申请日期：
2011-01-13
申请人：
三菱综合材料株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	三氯硅烷制造装置
申请号	CN201110020020.1	申请日期	2011-01-13
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2011-07-27	公开/公告号	CN102134079A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/107 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/08 含卤素的化合物 C01B33/107 卤化硅烷〔3〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;1;0;7查看分类表>
申请人	三菱综合材料株式会社	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三菱综合材料株式会社	当前权利人	三菱综合材料株式会社
发明人	村上直也;斋木渉
代理机构	北京德琦知识产权代理有限公司	代理人	齐葵;王诚华

摘要

本发明提供一种三氯硅烷制造装置，其能够使反应室内的温度分布均匀并以更高的热效率加热供给气体的同时，在不损失热效率的情况下谋求装置的大型化，并能够实现大量生产。该三氯硅烷制造装置具备自下方被供给所述原料气体而生成反应气体的大致筒状的反应室、设置于所述反应室内并加热所述原料气体的多个加热器、及连接于这些加热器的下端且固定于所述反应室的底板的多个电极，其中，各所述加热器具有固定于一对所述电极的一对非发热部、及安装于这些非发热部并被供给电力进行发热的发热部，所述发热部具备从各所述非发热部向上方延伸并连接所述一对非发热部之间的板状的第1发热体、及高度低于该第1发热体且从所述非发热部向上方延伸并连接所述一对非发热部之间的板状的第2发热体。

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