一种界面接触的反式钙钛矿太阳电池组件及制备方法与应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202110406755.1
IPC分类号：H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48
申请日期：
2021-04-15
申请人：
暨南大学

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	一种界面接触的反式钙钛矿太阳电池组件及制备方法与应用
申请号	CN202110406755.1	申请日期	2021-04-15
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-08-24	公开/公告号	CN113299833A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L51/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L51/20 （转入H01L 51/05，H01L 51/42，H01L 51/50） H01L51/42 专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;5;1;/;4;2;;;H;0;1;L;5;1;/;4;4;;;H;0;1;L;5;1;/;4;6;;;H;0;1;L;5;1;/;4;8查看分类表>
申请人	暨南大学	申请人地址	广东省广州市天河区黄埔大道西601号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	暨南大学	当前权利人	暨南大学
发明人	王有生;麦耀华
代理机构	广州市华学知识产权代理有限公司	代理人	饶周全

摘要

本发明属于钙钛矿太阳电池技术领域，具体公开了一种界面接触的反式钙钛矿太阳电池组件及制备方法与应用。所述高效界面接触的反式钙钛矿太阳电池组件及制备方法，从底层到顶层分别为FTO透明电极基底、铜掺杂氧化镍、双修饰层、A位掺杂的混合阳离子Kδ‑CsFAMA基钙钛矿活性层、钝化层(二维钙钛矿)、PCBM、双修饰层和顶部电极银。此方法有效解决了反式结构钙钛矿太阳电池中存在的严重非辐射和界面接触差等问题，已开发的反式钙钛矿太阳电池组件效率接近17％，为高效稳定的钙钛矿光伏组件的商业化提供技术储备。可以应用于大面积太阳发电板，太空卫星系统，智能路灯，弱光室内采集系统和太阳智能汽车等领域。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供