半导体存储器装置及其刷新控制方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910171086.3
IPC分类号：G11C11/401;G11C11/4063;G11C11/406
申请日期：
2009-09-04
申请人：
海力士半导体有限公司

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著录项信息

专利名称	半导体存储器装置及其刷新控制方法
申请号	CN200910171086.3	申请日期	2009-09-04
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-10-20	公开/公告号	CN101866684A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C11/401 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C11/00 以使用特殊的电或磁存储元件为特征而区分的数字存储器；为此所用的存储元件（G11C 14/00至G11C 21/00优先）〔5〕 G11C11/21 应用电元件的〔2〕 G11C11/34 应用半导体器件的〔2〕 G11C11/40 应用晶体管的〔2〕 G11C11/401 形成需要刷新或电荷再生的单元的，即，动态单元的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;1;/;4;0;1;;;G;1;1;C;1;1;/;4;0;6;3;;;G;1;1;C;1;1;/;4;0;6查看分类表>
申请人	海力士半导体有限公司	申请人地址	韩国京畿道利川市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	海力士半导体有限公司	当前权利人	海力士半导体有限公司
发明人	吴荣训
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	杨林森;康建峰

摘要

公开了一种半导体存储器装置及其刷新控制方法。半导体存储器装置包括存储单元区块，所述存储单元区块包括多个浮动体单元(FBC)晶体管。每个FBC晶体管具有连接至字线的栅极、连接至位线的漏极和连接至源线的源极。通过在多个浮动体单元晶体管中共享源线来形成FBC晶体管对。半导体存储器装置还包括刷新控制器。刷新控制器被配置成响应于刷新信号来产生刷新使能信号，顺序地使能刷新读取信号和刷新写入信号，以及通过使能刷新读取信号来读取存储在存储单元区块中的数据，并通过使能刷新写入信号来将读取数据重写到存储单元区块中。

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