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半导体制造装置以及半导体装置

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200680040390.9
  • IPC分类号:H01L21/28;H01L21/26
  • 申请日期:
    2006-09-22
  • 申请人:
    独立行政法人产业技术综合研究所;日产自动车株式会社
著录项信息
专利名称半导体制造装置以及半导体装置
申请号CN200680040390.9申请日期2006-09-22
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2008-11-05公开/公告号CN101300666
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;2;6查看分类表>
申请人独立行政法人产业技术综合研究所;日产自动车株式会社申请人地址
日本东京都 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人独立行政法人产业技术综合研究所,日产自动车株式会社当前权利人独立行政法人产业技术综合研究所,日产自动车株式会社
发明人桐谷范彦;谷本智;荒井和雄
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所代理人刘新宇;张会华
摘要
本发明提供一种半导体制造装置,其在碳化硅半导体基板(10)的表面和背面上形成作为金属电极的金属薄膜(11、12)之后,进行对碳化硅半导体基板(10)进行加热的快速加热处理,该半导体制造装置构成为:通过与碳化硅半导体基板(10)上的形成有金属薄膜(11、12)的区域以外的区域的接触,由保持结构体(20)保持碳化硅半导体基板(10),在半导体制造装置的加热室内设置所保持的碳化硅半导体基板(10)。

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