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一种半导体器件的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201611037641.X
  • IPC分类号:H01L21/28
  • 申请日期:
    2016-11-23
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体器件的制造方法
申请号CN201611037641.X申请日期2016-11-23
法律状态驳回申报国家暂无
公开/公告日2018-05-29公开/公告号CN108091555A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
发明人任佳;张翼英;张海洋
代理机构北京市磐华律师事务所代理人董巍;高伟
摘要
本发明提供一种半导体器件的制造方法,涉及半导体技术领域。该方法包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成若干间隔排列的核;形成间隙壁材料层,以覆盖所述核以及所述半导体衬底,且使相邻所述核之间的所述间隙壁材料层围成开口;形成牺牲材料层,以填充所述开口;进行第一等离子体注入,以改性位于所述核顶面上的所述间隙壁材料层,形成第一改性的间隙壁材料层;去除所述牺牲材料层以及所述第一改性的间隙壁材料层;去除所述间隙壁材料层位于所述开口底部的部分,以在所述核的侧壁上形成间隙壁;去除所述核。本发明的制造方法,增大了工艺窗口,改善了奇数‑偶数性能。

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