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CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310461748.7
  • IPC分类号:H01L27/146
  • 申请日期:
    2013-09-30
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称CMOS图像传感器的像素结构及其形成方法
申请号CN201310461748.7申请日期2013-09-30
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2015-04-15公开/公告号CN104517976A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L27/146IPC分类号H;0;1;L;2;7;/;1;4;6查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
广东省深圳市坪山区龙田街道出口加工区高芯路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造(深圳)有限公司
发明人魏琰;宋化龙;马燕春
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人骆苏华
摘要
一种CMOS图像传感器像素结构及其形成方法,包括:半导体衬底,所述半导体衬底中掺杂有第一杂质离子;位于半导体衬底内的凹槽;位于凹槽的两侧侧壁表面的隔离层;位于凹槽内的外延硅层,所述外延层覆盖所述隔离层并填充满凹槽,所述外延硅层中掺杂有第二杂质离子,第二杂质离子的导电类型与第一杂质离子的导电类型相反,所述外延硅层和半导体衬底构成光电二极管;位于外延硅层一侧的半导体衬底上的栅极结构;位于栅极结构的远离外延硅层的一侧的半导体衬底内的浮置扩散区。所述CMOS图像传感器像素结构的暗电流较小。

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