半导体元件及其制造方法

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专利名称	半导体元件及其制造方法
申请号	CN200410004848.8	申请日期	2004-02-06
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2004-08-11	公开/公告号	CN1519998
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/042 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/04 激励的方法或装置，例如泵激励（H01S 5/06优先）〔7〕 H01S5/042 电激励〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;0;4;2;;;H;0;1;S;5;/;2;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0查看分类表>
申请人	三洋电机株式会社	申请人地址	中国台湾新竹市科学园区力行五路5号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	晶元光电股份有限公司	当前权利人	晶元光电股份有限公司
发明人	畑雅幸;户田忠夫;冈本重之;井上大二朗;别所靖之;野村康彦;山口勤
代理机构	北京纪凯知识产权代理有限公司	代理人	龙淳

摘要

本发明提供一种可使元件工作稳定化的半导体元件。该半导体元件包含以下部件，即：至少在背面一部分上具有错位集中的区域的基板、在基板表面上形成的半导体元件层、在基板背面上错位集中区域上形成的绝缘膜、和以与基板背面错位集中区域以外的区域相接触的方式形成的背面侧电极。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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