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一种Ag纳米颗粒复合CoSb3基热电材料的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200810119809.0
  • IPC分类号:B22F3/16;H01B13/00;H01B1/16
  • 申请日期:
    2008-09-11
  • 申请人:
    清华大学
著录项信息
专利名称一种Ag纳米颗粒复合CoSb3基热电材料的制备方法
申请号CN200810119809.0申请日期2008-09-11
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2009-01-21公开/公告号CN101347838
优先权暂无优先权号暂无
主分类号B22F3/16IPC分类号B;2;2;F;3;/;1;6;;;H;0;1;B;1;3;/;0;0;;;H;0;1;B;1;/;1;6查看分类表>
申请人清华大学申请人地址
北京市信箱82分箱清华大学专利办公室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人清华大学当前权利人清华大学
发明人李敬锋;刘玮书;张波萍;赵立东
代理机构暂无代理人暂无
摘要
一种Ag纳米颗粒复合CoSb3基热电材料的制备方法,本发明通过将AgNO3的乙醇溶液以化学浸润的方法滴入压实后的CoSb3粉末预烧结体中,利用浸润效应使热电材料粉末颗粒表面包覆上一层AgNO3溶液膜,然后快速烘干促使液膜收缩析出纳米级AgNO3颗粒分散于CoSb3粉末颗粒表面,最后利用放电等离子烧结技术快速烧结,利用高温促使AgNO3分解,得到Ag纳米颗粒均匀的分散于CoSb3基体晶界的热电复合材料。该方法克服了传统直接加入纳米颗粒不易分散的缺点。Ag具有高的电导率,因此Ag纳米颗粒的加入能够实现在不降低电导率的基础上使热导率降低,从而提高热电优值ZT。

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