一种半导体器件结构及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110588352.3
IPC分类号：H01L23/552;H01L23/482;H01L23/24;H01L21/60
申请日期：
2021-05-27
申请人：
深圳市时代速信科技有限公司

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专利名称	一种半导体器件结构及其制造方法
申请号	CN202110588352.3	申请日期	2021-05-27
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-17	公开/公告号	CN113410214A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/552 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/552 防辐射保护装置，例如光〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;5;2;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;2;;;H;0;1;L;2;3;/;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0查看分类表>
申请人	深圳市时代速信科技有限公司	申请人地址	广东省深圳市前海深港合作区前湾一路1号A栋201室(入驻深圳市前海商务秘书有限公司) 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	深圳市时代速信科技有限公司	当前权利人	深圳市时代速信科技有限公司
发明人	杨天应
代理机构	广州三环专利商标代理有限公司	代理人	郭浩辉;颜希文

摘要

本发明公开了一种半导体器件结构及其制造方法，包括器件有源区，及位于无源区焊盘和半导体器件边缘之间的金属环路保护结构；所述金属环路保护结构包括设有若干断点的第二互连金属条；所述第二互连金属条位于无源区焊盘和半导体器件边缘之间的介质层刻蚀边界上方，覆盖所述介质层刻蚀边界；所述第二互连金属条在源极焊盘外侧区域与源极焊盘电学连接。本发明提供了一种半导体器件结构及其制造方法，能够提升器件防止水汽侵蚀和离子迁移导致短路的能力。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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