碱金属原子气室的制作方法及碱金属原子气室

发明专利有效专利

申请号：
CN202110611144.0
IPC分类号：G04F5/14
申请日期：
2021-06-01
申请人：
中国科学院微电子研究所

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著录项信息

专利名称	碱金属原子气室的制作方法及碱金属原子气室
申请号	CN202110611144.0	申请日期	2021-06-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-09-07	公开/公告号	CN113359404A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G04F5/14 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G04 测时学 G04F 时间间隔的测量（测量脉冲特性入G01R，例如，G01R 29/02；雷达或类似系统中的入G01S；微波激射器入H01S 1/00；振荡的产生入H03B；脉冲的产生或计数，分频入H03K；一般模/数转换入H03M 1/00）〔2〕 G04F5/00 产生用作定时标准的预选的时间间隔的仪器（电子数字计算机用时钟信号的发生入G06F 1/04；一般信号发生器的频率自动控制或稳定入H03L） G04F5/14 应用原子钟〔2〕	IPC分类号	G;0;4;F;5;/;1;4查看分类表>
申请人	中国科学院微电子研究所	申请人地址	北京市朝阳区北土城西路3号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院微电子研究所	当前权利人	中国科学院微电子研究所
发明人	贾云丛;焦斌斌;刘瑞文;孔延梅;云世昌
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	吴梦圆

摘要

本发明公开了一种碱金属原子气室的制作方法及碱金属原子气室，其制作方法包括：提供一硅片；在硅片上表面、下表面均生长硬掩模层；分别对每层硬掩膜层进行处理，形成第一窗口组和第二窗口组，第一窗口组为在硅片的第一区域的轴向上对应的两个第一窗口，第二窗口组为在硅片的第二区域的轴向上对应的两个第二窗口；将第一窗口组中两个第一窗口之间的硅片打通形成第一腔室，将第二窗口组中两个第二窗口之间的硅片打通形成第二腔室；采用激光刻蚀工艺，在第一腔室与第二腔室之间的硅片的上表面，形成内壁表面粗糙的V形微流道，使第一腔室与第二腔室连通；去除硬掩膜层；在第一腔室内放入碱金属叠氮化物；将硅片的上表面、下表面均与玻璃片密封连接。

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