一种半导体加工用蒸发台

发明专利有效专利

申请号：
CN202110834243.5
IPC分类号：C23C14/24;C23C14/56;H01J37/32;F16M11/04;F16M13/02
申请日期：
2021-07-23
申请人：
上海芯莘科技有限公司

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著录项信息

专利名称	一种半导体加工用蒸发台
申请号	CN202110834243.5	申请日期	2021-07-23
法律状态	公开	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-15	公开/公告号	CN113502455A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/24 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/24 真空蒸发〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;2;4;;;C;2;3;C;1;4;/;5;6;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2;;;F;1;6;M;1;1;/;0;4;;;F;1;6;M;1;3;/;0;2查看分类表>
申请人	上海芯莘科技有限公司	申请人地址	上海市奉贤区奉城南奉公路686号4幢变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海芯莘科技有限公司	当前权利人	上海芯莘科技有限公司
发明人	刘超超;高娟
代理机构	芜湖市昌强专利代理事务所（特殊普通合伙）	代理人	周渭铭

摘要

本发明公开了一种半导体加工用蒸发台，包括蒸发台本体，所述蒸发台本体外壁一侧设置有定位板，所述定位板外壁一侧固定连接有连接板，所述连接板内部贯穿有连接槽，所述连接槽内部插接有连接杆。本发明通过连接板进行定位板的位置固定，使用连接杆贯穿连接槽与蒸发台本体进行位置连接，最终使用连接螺帽进行位置确定，可对防护设备进行有效安装拆卸，降低了使用时的局限性并在蒸发时对其进行防护，通过转轴转动防护挡板，转动控制板带动插接螺杆贯穿连接卡板内部，锁紧螺环进行位置锁紧，当蒸发台本体内部发生炸裂情况时，缓冲挡板通过第一弹簧的弹力使第一滑块在第一滑槽内部滑动，从而对冲击力起到缓冲作用，避免外物溅射。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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