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基板处理装置及基板处理方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202080014920.2
IPC分类号：H01L21/304;H01L21/306
申请日期：
2020-02-19
申请人：
株式会社斯库林集团

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	基板处理装置及基板处理方法
申请号	CN202080014920.2	申请日期	2020-02-19
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-10-08	公开/公告号	CN113490999A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/304 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/304 机械处理，例如研磨、抛光、切割〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6查看分类表>
申请人	株式会社斯库林集团	申请人地址	日本京都府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社斯库林集团	当前权利人	株式会社斯库林集团
发明人	高桥朋宏;武知圭;秋山刚志;佐佐木光敏
代理机构	北京银龙知识产权代理有限公司	代理人	丁文蕴;杜嘉璐

摘要

基板处理装置(100)将基板(W)浸渍于作为贮存于内槽(112)的处理液(L)的贮存处理液(L1)进行基板(W)的处理。基板处理装置(100)具备气泡供给部(130)和循环部(160)。气泡供给部(130)向贮存处理液(L1)供给气泡(KA)。循环部(160)对气泡供给部(130)生成贮存处理液(L1)的第一液流(R1)。

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