一种提高发光二极管发光效率的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210190079.X
IPC分类号：H01L33/14;H01L33/00
申请日期：
2012-06-11
申请人：
华灿光电股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种提高发光二极管发光效率的方法
申请号	CN201210190079.X	申请日期	2012-06-11
法律状态	撤回	申报国家	暂无
公开/公告日	2012-10-03	公开/公告号	CN102709424A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/14 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/14 具有一个载流子传输控制结构，例如高掺杂半导体层或电流阻断结构〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;1;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	华灿光电股份有限公司	申请人地址	湖北省武汉市东湖新技术开发区滨湖路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华灿光电股份有限公司	当前权利人	华灿光电股份有限公司
发明人	韩杰;魏世桢
代理机构	江西省专利事务所	代理人	胡里程

摘要

本发明公开了一种提高发光二极管发光效率的结构，该二极管外延片结构从下向上的顺序依次为衬底、低温缓冲层、高温缓冲层、N型层、N型层、电流扩展层、N型层、发光层MWQ、P型层、P型层、P型层。电流扩展层6采用超晶格结构组成，提高了发光效率和抗静电能力。本发明的优点在于：本发明所述的这种外延生长工艺的设计不仅使电流分布更加均匀，而且可以降低工作电压，提升ESD良率，改善漏电。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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