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利用静电纺丝工艺制备延性电路互联结构的方法及产品

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201310090363.4
  • IPC分类号:H01L21/768
  • 申请日期:
    2013-03-20
  • 申请人:
    华中科技大学
著录项信息
专利名称利用静电纺丝工艺制备延性电路互联结构的方法及产品
申请号CN201310090363.4申请日期2013-03-20
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-07-24公开/公告号CN103219280A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/768IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;8查看分类表>
申请人华中科技大学申请人地址
湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华中科技大学当前权利人华中科技大学
发明人黄永安;尹周平;汤朋朋;段永青;刘慧敏
代理机构华中科技大学专利中心代理人朱仁玲
摘要
本发明公开了一种利用静电纺丝工艺制备延性电路互联结构的方法,包括:通过静电纺丝装置向位于其喷头下方且沿着水平方向来回直线移动的硅片基板上喷射静电纺丝溶液,由此在基板上形成呈波形延伸且具备微纳米直径的图案;选取弹性衬底并执行清洁处理,然后对弹性衬底做拉伸处理;将处于拉伸状态的弹性衬底紧贴在形成有图案的硅片基板上,挤出两者接触面之间的空气后予以分离,使得硅片基板上的图案转印至弹性衬底表面;恢复弹性衬底的自然状态,由此制得所需的延性电路互联结构。本发明还公开了相应的产品及其应用。通过本发明,能够生成具备高延展性、高精度级的两级波纹结构,并尤其适用于延性电路互联结构大面积的可靠制造。

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