具有减少金属污染的衬套的等离子源

发明专利无效专利

申请号：
CN200880002319.0
IPC分类号：H01J37/32
申请日期：
2008-01-15
申请人：
瓦里安半导体设备公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	具有减少金属污染的衬套的等离子源
申请号	CN200880002319.0	申请日期	2008-01-15
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-01-13	公开/公告号	CN101627454
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01J37/32 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01J 放电管或放电灯（火花隙入H01T；消耗电极的弧光灯入H05B；粒子加速器入H05H） H01J37/00 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的（H01J 33/00、H01J 40/00、H01J 41/00、H01J 47/00、H01J 49/00优先）〔2，5〕 H01J37/32 充气放电管（放电加热的入H05B）	IPC分类号	H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人	瓦里安半导体设备公司	申请人地址	美国麻萨诸塞州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瓦里安半导体设备公司	当前权利人	瓦里安半导体设备公司
发明人	理查德·J·赫尔特;李祐家;菲利浦·J·麦桂尔;提摩太·J·米勒;哈勒德·M·波辛;维克拉姆·辛
代理机构	北京同立钧成知识产权代理有限公司	代理人	臧建明

摘要

提供一种具有金属腔室壁的等离子腔室(102)的等离子源(100)，此等离子源(100)包括处理气体。介电窗(120、122)将射频信号传送至等离子腔室中。射频信号激发以及离子化处理气体，从而在等离子腔室中形成等离子。等离子腔室衬套(125)定位于等离子腔室内部，并提供等离子腔室内部的遮蔽，以遮蔽离子撞击等离子腔室的金属壁(102′)而溅镀的金属。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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