加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

具有浮岛电压维持层的功率半导体器件的制造方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN02819658.9
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L21/22;H01L29/76
  • 申请日期:
    2002-10-03
  • 申请人:
    通用半导体公司
著录项信息
专利名称具有浮岛电压维持层的功率半导体器件的制造方法
申请号CN02819658.9申请日期2002-10-03
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2005-01-26公开/公告号CN1572018
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;2;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;6查看分类表>
申请人通用半导体公司申请人地址
美国纽约 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人通用半导体公司当前权利人通用半导体公司
发明人理查德·A·布朗夏尔;让·米歇尔·吉约
代理机构中原信达知识产权代理有限责任公司代理人樊卫民;钟强
摘要
一种功率半导体器件及其制造方法,提供衬底(402),并接着通过在衬底(402)上淀积外延层(401)和在外延层(401)中形成至少一个沟槽而在衬底(402)上形成电压维持区。沿着沟槽壁淀积阻挡材料并穿过阻挡材料把掺杂剂注入到邻近沟槽底部并在沟槽底部之下的部分外延层(401)中。掺杂剂扩散形成第一掺杂层,并至少从沟槽的底部去除阻挡材料。穿过第一掺杂层蚀刻沟槽,并基本上填充沟槽,从而完成电压维持区。在电压维持区上形成至少一个区以在它们之间限定结面。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供