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基于闪存的数据读写方法、装置及计算机可读存储介质

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201811507300.3
  • IPC分类号:G06F3/06
  • 申请日期:
    2018-12-10
  • 申请人:
    深圳市硅格半导体有限公司
著录项信息
专利名称基于闪存的数据读写方法、装置及计算机可读存储介质
申请号CN201811507300.3申请日期2018-12-10
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2019-04-12公开/公告号CN109614048A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G06F3/06IPC分类号G;0;6;F;3;/;0;6查看分类表>
申请人深圳市硅格半导体有限公司申请人地址
广东省深圳市南山区科技南十二路18号长虹科技大厦6楼05-2、06-08单元 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人深圳市硅格半导体有限公司当前权利人深圳市硅格半导体有限公司
发明人翁敏博;吴大畏;李晓强;黄慧
代理机构深圳市世纪恒程知识产权代理事务所代理人胡海国
摘要
本发明公开了一种基于闪存的数据读写方法,包括以下步骤:对闪存进行写操作时,锁定一个缓存区域;将待写入数据存储至所述缓存区域;读取所述缓存区域中存储的所述待写入数据,并写入所述闪存;在检测到数据写入完成时,释放所述缓存区域。本发明还公开了一种基于闪存的数据读写装置及计算机可读存储介质。本发明通过锁定缓存区域,并将待写入数据先存储至所述缓存区域,在未增加数据处理开销的基础上,实现了数据的有效写入,从而提升了数据写入的效率,并且降低了生产成本。

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