高亮度发光二极管装置及其制造方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200510076455.2
IPC分类号：--
申请日期：
2005-06-15
申请人：
泰谷光电科技股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	高亮度发光二极管装置及其制造方法
申请号	CN200510076455.2	申请日期	2005-06-15
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2005-12-21	公开/公告号	CN1710726
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	泰谷光电科技股份有限公司	申请人地址	台湾南投县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	泰谷光电科技股份有限公司	当前权利人	泰谷光电科技股份有限公司
发明人	刘育全;李家铭;陈怡伶;綦振瀛
代理机构	永新专利商标代理有限公司	代理人	王英

摘要

一种发光二极管装置包含一个多层结构，该多层结构包含一个或多个发光层，以在电流驱动后发出光线；一个透明保护层位于该多层结构的一个外表面；一个光反射层位于该透明保护层上；及多个电接触垫连接至该多层结构。制作该发光二极管装置的步骤中，是将该光反射层与该透明保护层图案化，以形成可将多层结构的一个区域露出的至少一个开口；及形成一个电接触垫，以经由通过该光反射层与该透明保护层的该开口而连接到该多层结构。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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