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适用于分析局部残余应力影响的分布式磁测量装置及方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110409885.0
  • IPC分类号:G01R33/02;G01R33/12;G01R1/067;G01R1/04
  • 申请日期:
    2021-04-16
  • 申请人:
    河北工业大学
著录项信息
专利名称适用于分析局部残余应力影响的分布式磁测量装置及方法
申请号CN202110409885.0申请日期2021-04-16
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2021-06-25公开/公告号CN113030797A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01R33/02IPC分类号G;0;1;R;3;3;/;0;2;;;G;0;1;R;3;3;/;1;2;;;G;0;1;R;1;/;0;6;7;;;G;0;1;R;1;/;0;4查看分类表>
申请人河北工业大学申请人地址
天津市红桥区丁字沽光荣道8号河北工业大学东院330# 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人河北工业大学当前权利人河北工业大学
发明人李永建;张凯;窦宇;付裕
代理机构天津翰林知识产权代理事务所(普通合伙)代理人王瑞
摘要
本发明公开了一种适用于分析局部残余应力影响的分布式磁测量装置及方法。该装置包括底板、三轴精密位移台、多节式连接杆、滑轨块、B探针组件、双层H传感线圈组件、八向样品固定台和激励;底板上固定有三轴精密位移台和八向样品固定台的底座;多节式连接杆的一个端部与三轴精密位移台的输出端固定连接,多节式连接杆的其余末端分别与各自的滑轨块固定连接;每个滑轨块的滑轨中滑动连接有一个双层H传感线圈组件和两个B探针组件;双层H传感线圈组件位于两个B探针组件之间。本方法可以针对残余应力对磁性材料造成的局部磁性能恶化进行分析,测量范围可调节,测量普适性高,测量精度高且可实现不断电的连续化磁特性测量。

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