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一种肖特基终端结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201921027617.7
  • IPC分类号:H01L29/06;H01L29/40
  • 申请日期:
    2019-07-03
  • 申请人:
    天津环鑫科技发展有限公司
著录项信息
专利名称一种肖特基终端结构
申请号CN201921027617.7申请日期2019-07-03
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/06IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;4;0查看分类表>
申请人天津环鑫科技发展有限公司申请人地址
天津市滨海新区华苑产业区(环外)海泰东路12号A座二层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人天津环鑫科技发展有限公司当前权利人天津环鑫科技发展有限公司
发明人王万礼;宋楠;乐春林;刘文彬;陈海洋;刘闯;刘晓芳;徐长坡
代理机构天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人栾志超
摘要
本实用新型提供一种肖特基终端结构,包括衬底材料,衬底材料包括衬底和外延层,外延层设于衬底一侧;以及沟槽,通过刻蚀形成于外延层上;场限环,通过离子注入形成于沟槽侧壁上;氧化层,设于沟槽侧壁、沟槽底部及沟槽拐角处;势垒金属,通过沉积形成于外延层上;正面金属,通过沉积形成于势垒金属与氧化层上。本实用新型的有益效果是具有场限环、沟槽、接触孔自对准结构,实现两层光刻制造肖特基器件,减小终端耐压结构的尺寸,相同电压等级下终端尺寸相比常规设计要小,有效提升芯片面积的利用率。

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