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制作半导体浅槽和深槽的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610030966.5
  • IPC分类号:H01L21/762
  • 申请日期:
    2006-09-08
  • 申请人:
    上海华虹NEC电子有限公司
著录项信息
专利名称制作半导体浅槽和深槽的方法
申请号CN200610030966.5申请日期2006-09-08
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2008-03-12公开/公告号CN101140896
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/762IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;7;6;2查看分类表>
申请人上海华虹NEC电子有限公司申请人地址
上海市浦东新区川桥路1188号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹NEC电子有限公司当前权利人上海华虹NEC电子有限公司
发明人李永海;周正良
代理机构上海浦一知识产权代理有限公司代理人顾继光
摘要
本发明公开了一种制作半导体深槽和浅槽的方法,该方法先做深槽,在填充物填到深槽大半后,再做浅槽,同时用高致密氧化物填满深槽和浅槽,这样一方面用STI(浅槽隔离)工艺完成深槽顶部填充,可以减少深槽隔离面积,另一方面由于降低光刻套刻精度要求,同时填充深槽和浅槽,也简化了工艺难度和复杂性。

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