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干蚀刻装置及方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200780033218.5
IPC分类号：H01L21/3065;C01B33/12;C03C15/00;H03H3/02;H03H3/08;H05H1/46
申请日期：
2007-09-05
申请人：
株式会社爱发科

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	干蚀刻装置及方法
申请号	CN200780033218.5	申请日期	2007-09-05
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2009-08-19	公开/公告号	CN101512735
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/3065 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/30 用H01L 21/20至H01L 21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/28）〔2〕 H01L21/302 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/306 化学或电处理，例如电解腐蚀（形成绝缘层的入H01L 21/31；绝缘层的后处理入H01L 21/3105）〔2〕 H01L21/3065 等离子腐蚀；活性离子腐蚀〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;C;0;1;B;3;3;/;1;2;;;C;0;3;C;1;5;/;0;0;;;H;0;3;H;3;/;0;2;;;H;0;3;H;3;/;0;8;;;H;0;5;H;1;/;4;6查看分类表>
申请人	株式会社爱发科	申请人地址	日本神奈川变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社爱发科	当前权利人	株式会社爱发科
发明人	森川泰宏;邹红罡
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	王永刚

摘要

本发明提供一种干蚀刻装置及方法，在干蚀刻热膨胀系数大的被加工物时，可消除因蚀刻中受到的热变形、热冲击造成的被加工物的开裂。该干蚀刻装置设置了具有凸型形状的表面的电极结构体，该凸型形状是与电极结构体的横截面为同心圆的凸型形状，该凸型形状的高度为0.2mm～1.0mm。使用该干蚀刻装置，蚀刻由热膨胀系数为30×10-7/℃以上的材料构成的被加工物。

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