纳流体测试器件的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201010034281.4
IPC分类号：B82B3/00;G01N33/48
申请日期：
2010-01-20
申请人：
中国科学院半导体研究所

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著录项信息

专利名称	纳流体测试器件的制备方法
申请号	CN201010034281.4	申请日期	2010-01-20
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-30	公开/公告号	CN101759142A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B82B3/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B82 纳米技术〔7〕 B82B 通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子的集合而形成的纳米结构；其制造或处理〔7〕 B82B3/00 通过操纵单个原子、分子或作为孤立单元的极少量原子或分子集合的纳米结构的制造或处理〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;2;B;3;/;0;0;;;G;0;1;N;3;3;/;4;8查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	张加勇;王晓峰;王晓东;杨富华;马慧莉;程凯芳
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	汤保平

摘要

一种纳流体测试器件的制备方法，包括：在衬底上生长一层电热绝缘材料层和基底材料层；去除基底材料层的四边，形成图形作为制备侧墙的基底；在该电热绝缘材料层的上面和基底材料层的表面及侧面淀积侧墙材料层；去除基底材料层上表面和电热绝缘材料层表面的侧墙材料层，形成侧墙；去除基底材料层，只保留纳米尺寸的侧墙；在该侧墙材料层的一条边上搭上一条制作电极的抗腐蚀的金属层；在电热绝缘材料层及金属层上制备一层制作纳流体通道的抗腐蚀绝缘材料层；抛光表面，去除金属层上面的抗腐蚀绝缘材料层；再用湿法腐蚀方法去除剩余的侧墙材料层形成纳流体通道；最后淀积一层绝缘材料将纳流体通道封顶，再在通道两端开孔并在通道两侧的金属上引出电极即可形成纳流体测试器件。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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