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异质栅介质的异质结隧穿场效应晶体管及其制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202110843254.X
  • IPC分类号:H01L29/808;H01L21/337;H01L29/10
  • 申请日期:
    2021-07-26
  • 申请人:
    西安电子科技大学
著录项信息
专利名称异质栅介质的异质结隧穿场效应晶体管及其制作方法
申请号CN202110843254.X申请日期2021-07-26
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2021-10-29公开/公告号CN113571589A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/808
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;8;0;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;7;;;H;0;1;L;2;9;/;1;0查看分类表>
申请人西安电子科技大学申请人地址
陕西省西安市雁塔区太白南路2号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安电子科技大学当前权利人西安电子科技大学
发明人段小玲;王树龙;王刚;张进成;张涛;刘志宏;赵胜雷;许晟瑞;郝跃
代理机构西安正华恒远知识产权代理事务所(普通合伙)代理人傅晓
摘要
本发明公开了一种异质栅介质的异质结隧穿场效应晶体管及其制作方法,主要解决现有隧穿场效应晶体管开态电流小和双极效应严重的问题。其包括源极、栅极、漏极、源区、沟道区和漏区,载流子通过源极进入沟道区并通过漏极离开沟道区,沟道区包括“一”部和“1”部,“1”部包括与“一”部连接的第一连接端,以及与第一连接端相对设置的第二连接端,第二连接端通过漏区连接漏极,“1”部的两侧设置有两个栅极,两个栅极与“1”部之间分别设置有两个第一异质介质,栅极和第一异质介质垂直于第二异质介质设置,且第一异质介质与第二异质介质的高度之和与“1”部相等,栅极与第一异质介质高度相等,“一”部两侧分别设置有两个源极。

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