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一种半导体器件的制作方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410587117.4
  • IPC分类号:H01L21/28
  • 申请日期:
    2014-10-28
  • 申请人:
    中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
著录项信息
专利名称一种半导体器件的制作方法
申请号CN201410587117.4申请日期2014-10-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-06-01公开/公告号CN105632907A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/28IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司当前权利人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
发明人金滕滕;杨勇
代理机构北京市磐华律师事务所代理人董巍;高伟
摘要
本发明提供一种半导体器件的制作方法,包括:提供基底,在所述基底上依次形成粘附层和电极材料层;形成覆盖所述电极材料层的四周边缘的保护层;在暴露的所述电极材料层的表面上形成图案化的第一光阻层;以所述图案化的第一光阻层和所述保护层为掩膜,刻蚀所述电极材料层和粘附层,以形成电极;去除所述图案化的第一光阻层。根据本发明的制作方法,在湿法刻蚀过程中,避免了对于边缘的粘附层和电极材料层的刻蚀速率比中心的刻蚀速率高的问题的发生,故不会在晶圆的边缘产生薄弱点,导致电极剥离,进而提高了器件的良率和性能。

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