一种毫欧级片式电阻器的制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510105251.0
IPC分类号：--
申请日期：
2015-03-02
申请人：
中国振华集团云科电子有限公司

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专利名称	一种毫欧级片式电阻器的制作方法
申请号	CN201510105251.0	申请日期	2015-03-02
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2016-10-05	公开/公告号	CN105989937A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	中国振华集团云科电子有限公司	申请人地址	贵州省贵阳市新添大道北段268号附1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国振华集团云科电子有限公司	当前权利人	中国振华集团云科电子有限公司
发明人	陈传庆;谢云露;李维;龚漫莉;宋洁;韩玉成;王成
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种毫欧级片式电阻器的制作方法，包括陶瓷基片处理、电阻功能层制作、背电极制作、表电极制作、烧成、激光调阻、包封和标志、堆叠、端面溅射、折粒、端面处理。本发明通过铜浆和铜镍浆的厚膜工艺运用，对铜浆和铜镍浆体系材料的配合，有效的保证铜镍功能层和陶瓷基板以及铜电极的结合度，并且解决了阻值低的和低阻值前提条件下的低温度系数要求的问题，成本上得到有效的控制，该类电阻的制作将涉及所有的片式电阻型号，使其具备批量生产的能力。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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