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蚀刻的硅结构、形成蚀刻的硅结构的方法及其应用

发明专利无效专利

申请号：
CN201280060454.7
IPC分类号：H01M4/04;H01L31/18;B44C1/22;H01M4/02;H01M4/70;H01M4/38;H01M4/66
申请日期：
2012-10-05
申请人：
奈克松有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	蚀刻的硅结构、形成蚀刻的硅结构的方法及其应用
申请号	CN201280060454.7	申请日期	2012-10-05
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2014-08-13	公开/公告号	CN103988342A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/04 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/04 一般制造方法〔2〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;0;4;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;B;4;4;C;1;/;2;2;;;H;0;1;M;4;/;0;2;;;H;0;1;M;4;/;7;0;;;H;0;1;M;4;/;3;8;;;H;0;1;M;4;/;6;6查看分类表>
申请人	奈克松有限公司	申请人地址	英国牛津郡变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	奈克松有限公司	当前权利人	奈克松有限公司
发明人	刘峰明
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	余刚;张英

摘要

一种蚀刻硅的方法，所述方法包括以下步骤：用铜金属部分覆盖待蚀刻的材料的至少一个硅表面；和使至少一个表面暴露于含有氧化剂和氟化物离子的源的含水蚀刻组合物。

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