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高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201611238005.3
  • IPC分类号:H01L21/04;H01L29/51;H01L29/78
  • 申请日期:
    2016-12-28
  • 申请人:
    全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网江苏省电力公司
著录项信息
专利名称高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件
申请号CN201611238005.3申请日期2016-12-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2018-07-06公开/公告号CN108257855A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/04IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;0;4;;;H;0;1;L;2;9;/;5;1;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人全球能源互联网研究院;国家电网公司;国网江苏省电力公司申请人地址
北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人全球能源互联网研究院,国家电网公司,国网江苏省电力公司当前权利人全球能源互联网研究院,国家电网公司,国网江苏省电力公司
发明人夏经华;杨霏;郑柳;焦倩倩;查祎英;李永平;田亮;张文婷;李嘉琳
代理机构北京安博达知识产权代理有限公司代理人徐国文
摘要
本发明提供了一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件,所述制备方法包括对具有第一导电类型的碳化硅外延片进行高温牺牲氧化,在其外延层的上表面形成牺牲氧化层;对牺牲氧化层进行腐蚀,直至完全去除外延层上的牺牲氧化层;对去除牺牲氧化层后的外延层的上表面进行高温表面化处理,形成光滑的钝化表面;在光滑的钝化表面上依次淀积Al2O3介质覆层、LaAlO3介质层和Al2O3介质覆层,并对Al2O3介质覆层、LaAlO3介质层和Al2O3介质覆层构成的叠层结构进行退火,形成高k栅介质层。与现有技术相比,本发明提供的一种高k栅介质层的制备方法及碳化硅MOS功率器件,能够减少SiC/SiO2界面处的因杂质和/或表面晶格缺陷造成的界面缺陷,提高栅介质层的耐压能力。

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