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半导体器件及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201180064314.2
  • IPC分类号:H01L25/07;B23K26/04;B23K26/20;H01L21/60;H01L23/48;H01L25/18
  • 申请日期:
    2011-11-14
  • 申请人:
    富士电机株式会社
著录项信息
专利名称半导体器件及其制造方法
申请号CN201180064314.2申请日期2011-11-14
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-09-11公开/公告号CN103299420A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L25/07IPC分类号H;0;1;L;2;5;/;0;7;;;B;2;3;K;2;6;/;0;4;;;B;2;3;K;2;6;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;6;0;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;5;/;1;8查看分类表>
申请人富士电机株式会社申请人地址
日本,神奈川县川崎市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人富士电机株式会社当前权利人富士电机株式会社
发明人宫坂利幸
代理机构北京尚诚知识产权代理有限公司代理人龙淳
摘要
本发明提供一种半导体器件及其制造方法。能够提高摄像机的视觉辨认度,从而降低焊接预定部位的检测错误。通过使各引线框架(10、11)的轧痕(19)的方向(轧制方向)一致,能够降低来自各引线框架(10、11)的反射光的强度偏差,因此能够提高摄像机(25)的视觉辨认度,从而能够降低焊接预定部位的检测错误。另外,通过使各引线框架(10、11)的轧痕(19)的方向(轧制方向)一致,能够使各引线框架(10、11)均匀地吸收激光(14),能够期待降低各引线框架(10、11)上的激光焊接的偏差。其结果是,能够减少焊接数量,能够实现降低制造成本。

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