首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

改良位线电容单一性的3D阵列存储器装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201110344095.5
IPC分类号：H01L23/50;H01L27/115
申请日期：
2011-11-04
申请人：
旺宏电子股份有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	改良位线电容单一性的3D阵列存储器装置
申请号	CN201110344095.5	申请日期	2011-11-04
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2012-10-03	公开/公告号	CN102709269A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/50 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/48 用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置〔2〕 H01L23/50 用于集成电路器件的（H01L 23/482至H01L 23/498优先）〔2，5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;5;0;;;H;0;1;L;2;7;/;1;1;5查看分类表>
申请人	旺宏电子股份有限公司	申请人地址	中国台湾新竹科学工业园区力行路16号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	旺宏电子股份有限公司	当前权利人	旺宏电子股份有限公司
发明人	洪俊雄;吕函庭;陈士弘
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	周国城

摘要

本发明公开了一种改良位线电容单一性的3D阵列存储器装置，该装置具有多个平面位置；多条位线结构，具有多个平面位置的多个序列，每个序列描绘了一位线结构将该多个平面位置耦接至位线的顺序特征；每条位线被耦接于至少两相异的平面位置，使得能于两个以上相异的平面位置存取该多个存储器单元。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供