加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

基于金刚石衬底的氮化物半导体器件及其制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201410038850.0
  • IPC分类号:H01L21/205;H01L29/06
  • 申请日期:
    2014-01-27
  • 申请人:
    苏州能讯高能半导体有限公司
著录项信息
专利名称基于金刚石衬底的氮化物半导体器件及其制备方法
申请号CN201410038850.0申请日期2014-01-27
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2014-05-07公开/公告号CN103779193A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/205IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;2;0;5;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人苏州能讯高能半导体有限公司申请人地址
江苏省苏州市昆山市高新区晨丰路18号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人苏州能讯高能半导体有限公司当前权利人苏州能讯高能半导体有限公司
发明人张乃千;裴风丽
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人常亮
摘要
本发明公开了一种基于金刚石衬底的氮化物半导体器件及其制备方法,所述方法包括以下步骤:S1、提供金刚石衬底;S2、在金刚石衬底上采用HVPE(氢化物气相外延法)生长第一氮化物半导体层;S3、在第一氮化物半导体层上采用MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积法)生长第二氮化物半导体层。本发明不用引入介质层,因此氮化物半导体和金刚石衬底界面处的热阻小,材料散热性能好;采用HVPE和MOCVD相结合生长氮化物半导体层具有生长速度快,生长质量优良等特点。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供