具有局部蚀刻栅极的半导体结构及其制作方法发明专利
申请号：CN03125019.X
LOC分类号:H01L21/28
IPC结构图谱：
- G物理
- G0仪器
- G01测量；测试
- G01P线速度或角速度、加速度、减速度或冲击的测量；运动的存在或不存在的指示；运动的方向的指示（利用陀螺效应测量角速率入G01C 19/00；用于测量两个或多个运动变量的组合测量设备入G01C 23/00；声速测量入G01H 5/00；光速测量入G01J 7/00；通过无线电波或其他波的反射或再辐射，且基于传播效应（例如多普勒效应）、传播时间或传播方向来测量固体物体的方向或速度入G01S；核辐射速度的测量入G01T）
- G01P3/00线速度或角速度的测量；线速度或角速度差值的测量（G01P 5/00至G01P 11/00优先；利用陀螺效应测量角速率入G01C 19/00）
- G01P3/26按所用流体为特征的装置
