具有局部蚀刻栅极的半导体结构及其制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN03125019.X
IPC分类号：H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78
申请日期：
2003-04-29
申请人：
茂德科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	具有局部蚀刻栅极的半导体结构及其制作方法
申请号	CN03125019.X	申请日期	2003-04-29
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2004-11-03	公开/公告号	CN1542919
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/28 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/28 用H01L 21/20至H01L 21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;2;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	茂德科技股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	茂德科技股份有限公司	当前权利人	茂德科技股份有限公司
发明人	李岳川;董明圣
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	李晓舒;魏晓刚

摘要

本发明涉及一种具有局部蚀刻栅极的半导体结构及其制作方法，该方法包括：提供一半导体衬底，在该半导体衬底上具有至少两邻近的栅极结构，其中上述栅极结构由形成在半导体衬底的一栅极介电层、一栅极导电层以及一上盖层所构成，且上述栅极结构的各侧边覆盖有一衬垫层；顺序形成一保护层和一掩膜层在上述栅极结构上；在掩膜层内定义出至少一开口，并蚀刻部分上述开口内的该保护层，以部分露出开口内两邻近栅极结构单一侧边上的衬垫层；蚀刻去除上述部分露出的衬垫层，且可选择地部分去除邻近该些露出衬垫层的栅极导电层；去除掩膜层和保护层；以及形成一间隔壁覆盖在上述栅极结构各侧壁上，以形成多个单一侧边具有局部蚀刻的栅极结构。

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