一种FeSi/Ni复合磁粉芯及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202011529345.8
IPC分类号：H01F41/02;H01F1/33
申请日期：
2020-12-22
申请人：
武汉科技大学

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著录项信息

专利名称	一种FeSi/Ni复合磁粉芯及其制备方法
申请号	CN202011529345.8	申请日期	2020-12-22
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-04-27	公开/公告号	CN112712992A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01F41/02 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01F 磁体；电感；变压器；磁性材料的选择〔2〕 H01F41/00 专用于制造或装配磁体、电感器或变压器的设备或方法；专用于制造磁性材料的设备或方法 H01F41/02 用于制造磁芯、线圈或磁体的〔3〕	IPC分类号	H;0;1;F;4;1;/;0;2;;;H;0;1;F;1;/;3;3查看分类表>
申请人	武汉科技大学	申请人地址	湖北省武汉市青山区和平大道947号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	武汉科技大学	当前权利人	武汉科技大学
发明人	樊希安;罗自贵;杨振甲
代理机构	武汉华旭知识产权事务所	代理人	刘荣

摘要

本发明属于软磁粉芯技术领域。具体涉及一种FeSi/Ni复合磁粉芯及其制备方法，其步骤为1.将纳米氧化镍粉末与铁硅合金粉末按质量比1∶9～99进行混合，进行粉磨得到复合粉末；2.将所得复合粉末进行加压烧结得到烧结坯体；3.将所得烧结坯体进行热处理得到具有SiO2绝缘层的FeSi/Ni复合磁粉芯。本发明所提供FeSi/Ni复合磁粉芯具有化学稳定性好、耐高温、绝缘性能好、电阻率高、磁损耗极低以及具有高的饱和磁通密度的特性；此外该工艺简单且生产成本低，具有良好的应用前景。

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