一种自驱动二维碲化钼同型异质结近红外光电探测器及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201610551522.X
IPC分类号：H01L31/102;H01L31/0336;H01L31/18
申请日期：
2016-07-13
申请人：
合肥工业大学

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专利名称	一种自驱动二维碲化钼同型异质结近红外光电探测器及其制备方法
申请号	CN201610551522.X	申请日期	2016-07-13
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2016-09-07	公开/公告号	CN105932091A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/102 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/08 其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器〔2〕 H01L31/10 特点在于至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的，例如光敏晶体管〔2〕 H01L31/101 对红外、可见或紫外辐射敏感的器件〔5〕 H01L31/102 仅以一个势垒或面垒为特征的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;0;2;;;H;0;1;L;3;1;/;0;3;3;6;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人	合肥工业大学	申请人地址	安徽省合肥市包河区屯溪路193号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	合肥工业大学	当前权利人	合肥工业大学
发明人	于永强;许克伟;耿祥顺;李智;罗林保
代理机构	安徽省合肥新安专利代理有限责任公司	代理人	卢敏;何梅生

摘要

本发明公开了一种自驱动二维碲化钼同型异质结近红外光电探测器及其制备方法，其特征在于：是在N型半导体衬底的下表面设置有与N型半导体衬底呈欧姆接触的底电极，上表面覆盖有掩膜层；掩膜层为绝缘材料，在掩膜层的中央预留有通孔，在通孔内沉积有二维碲化钼薄膜，其与N型导体衬底接触，形成N‑N同型异质结；在碲化钼薄膜上表面设置有与碲化钼呈欧姆接触的顶电极。本发明的近红外光电探测器，制备工艺简单、技术成熟可靠，易于控制；所得器件具有高灵敏度、高速率、高探测率、自驱动等优异性能。

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