制造碳化硅半导体器件的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200680052066.9
IPC分类号：H01L21/336;H01L21/316;H01L29/12;H01L29/78
申请日期：
2006-12-06
申请人：
住友电气工业株式会社

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制造碳化硅半导体器件的方法
申请号	CN200680052066.9	申请日期	2006-12-06
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2008-12-31	公开/公告号	CN101336473
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/336 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/18 器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料〔2，6，7〕 H01L21/334 制造单极型器件的台阶式工艺〔5〕 H01L21/335 场效应晶体管〔5〕 H01L21/336 带有绝缘栅的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;6;;;H;0;1;L;2;9;/;1;2;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人	住友电气工业株式会社	申请人地址	日本大阪府变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	住友电气工业株式会社	当前权利人	住友电气工业株式会社
发明人	增田健良
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	梁晓广;陆锦华

摘要

提供了在栅绝缘膜(20)和碳化硅层(11)之间的界面区中具有低界面态密度的碳化硅半导体器件的制造方法。在4H－SiC衬底(10)上生长外延生长层(11)，其后执行离子注入以形成作为离子注入层的p阱区(12)、源区(13)和p+接触区(15)。其后，利用热氧化或CVD，在p阱区(12)、源区(13)和p+接触区(15)上形成由氧化硅膜形成的栅绝缘膜(20)。然后，使用包含N2O的气体产生等离子体，以使栅绝缘膜(20)暴露于等离子体，该包含N2O的气体是包含氧和氮中的至少任何一种的气体。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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