一种电化学修饰电极及其制备方法和应用

发明专利有效专利

申请号：
CN202110138690.7
IPC分类号：G01N27/30;G01N27/38;G01N27/48;B82Y15/00;B82Y40/00
申请日期：
2021-02-01
申请人：
浙江大学

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著录项信息

专利名称	一种电化学修饰电极及其制备方法和应用
申请号	CN202110138690.7	申请日期	2021-02-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-06-11	公开/公告号	CN112946036A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N27/30 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N27/00 用电、电化学或磁的方法测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 25/00优先；电或磁变量的测量或试验，材料的电磁性能的测试或试验入G01R） G01N27/26 通过测试电化学变量；用电解或电泳法〔5〕 G01N27/28 电解池部件 G01N27/30 电极，例如测试电极；半电池（G01N 27/414优先）〔5〕	IPC分类号	G;0;1;N;2;7;/;3;0;;;G;0;1;N;2;7;/;3;8;;;G;0;1;N;2;7;/;4;8;;;B;8;2;Y;1;5;/;0;0;;;B;8;2;Y;4;0;/;0;0查看分类表>
申请人	浙江大学	申请人地址	浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学	当前权利人	浙江大学
发明人	林星宇;王井井;罗自生;李莉
代理机构	杭州天勤知识产权代理有限公司	代理人	胡红娟

摘要

本发明公开了一种电化学修饰电极的制备方法，包括：通过溶液生长法，在氧化铟锡导电基底表面沉积二氧化硅纳米通道，采用含有盐酸的乙醇溶液去除残余的溶液，制得二氧化硅/氧化铟锡复合材料；采用等离子沉积法在氧化铟锡/二氧化硅表面修饰聚二甲基硅氧烷基，制得氧化铟锡/二氧化硅@聚二甲基硅氧烷电极。本发明还公开了一种电化学修饰电极检测咖啡因的方法制备的二氧化硅纳米通道@聚二甲基硅氧烷修饰的氧化铟锡电极及其在咖啡因检测中的应用。本发明公开的修饰电极对于测定既有具有疏水性又具有亲水性的双亲性化合物具有高选择性，高灵敏性且制备时间短。

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