一种低成本高一致性压力传感器芯片制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201910501531.1
IPC分类号：B81C1/00;B81C3/00;G01L1/22
申请日期：
2019-06-11
申请人：
龙微科技无锡有限公司

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著录项信息

专利名称	一种低成本高一致性压力传感器芯片制备方法
申请号	CN201910501531.1	申请日期	2019-06-11
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2019-08-23	公开/公告号	CN110155937A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81C1/00 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81C 专门适用于制造或处理微观结构装置或系统的方法或设备（制造微胶囊或微球入B01J13/02；专门适用于制造或处理压电器件、电致伸缩器件或磁致伸缩器件的方法或设备本身入H01L41/22）〔7〕 B81C1/00 在基片内或其上制造或处理的装置或系统（B81C 3/00优先）〔7〕	IPC分类号	B;8;1;C;1;/;0;0;;;B;8;1;C;3;/;0;0;;;G;0;1;L;1;/;2;2查看分类表>
申请人	龙微科技无锡有限公司	申请人地址	江苏省无锡市新吴区太湖国际科技园菱湖大道200号中国传感网国际创新园E幢E1-301室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	龙微科技无锡有限公司	当前权利人	龙微科技无锡有限公司
发明人	汪祖民
代理机构	无锡市汇诚永信专利代理事务所（普通合伙）	代理人	王闯;葛莉华

摘要

本发明涉及MEMS传感器领域,公开了一种低成本高一致性压力传感器芯片制备方法，包括如下步骤：S1：选择双抛硅片作为底层硅片；S2：对所述底层硅片进行热氧化形成第一氧化层；S3：采用光刻工艺在所述底层硅片的上表面刻蚀出腔体；S4：对所述底层硅片的上表面重新进行热氧化以制作第一氧化层；S5：选择双抛硅片作为顶层硅片；S6：将所述顶层硅片和所述底层硅片键合成一体；S7：将所述顶层硅片减薄，减薄后抛光。解决的技术问题是现有技术中，制备MEMS压力传感器芯片的方法存在成本高和批量产品一致性低的缺陷。通过键合工艺、研磨抛光的工艺方法制作敏感膜，其厚度控制水平，成本低，一致性高。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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