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半导体装置及其驱动方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310454639.2
  • IPC分类号:H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06
  • 申请日期:
    2013-09-29
  • 申请人:
    三垦电气株式会社
著录项信息
专利名称半导体装置及其驱动方法
申请号CN201310454639.2申请日期2013-09-29
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2014-06-11公开/公告号CN103855205A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/739
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;3;9;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6查看分类表>
申请人三垦电气株式会社申请人地址
日本埼玉县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人三垦电气株式会社当前权利人三垦电气株式会社
发明人齐藤保幸
代理机构北京三友知识产权代理有限公司代理人李辉;黄纶伟
摘要
半导体装置及其驱动方法,可缩短导通时间。在最左侧的槽(26)与左起第3个槽(26)中,仅在右侧形成有n+层(29),在左起第2个槽(26)和最右侧的槽(26)中,仅在左侧形成有n+层(29)。通过该结构,在第1槽间区域中,形成有n+层(29)的两侧彼此相对,在第2槽间区域中,没有形成n+层(29)的两侧彼此相对。层间绝缘膜(32)中的发射极连接开口部(321)仅在第1槽间区域中形成,不在第2槽间区域中形成。因此,能够近似地认为第2槽间区域中的p-层(25)相对于第1槽间区域中的p-层(25)或者发射极电极(31)浮置。

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