图形化氮化铝复合衬底、深紫外LED外延结构及制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110002544.1
IPC分类号：H01L33/12;H01L33/00
申请日期：
2021-01-04
申请人：
宁波安芯美半导体有限公司

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专利名称	图形化氮化铝复合衬底、深紫外LED外延结构及制备方法
申请号	CN202110002544.1	申请日期	2021-01-04
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2021-05-04	公开/公告号	CN112750926A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/12 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/02 以半导体为特征的〔2010.01〕 H01L33/12 具有一个应力弛豫结构，例如缓冲层〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;1;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	宁波安芯美半导体有限公司	申请人地址	浙江省宁波市杭州湾新区兴慈一路290号3号楼110-7室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	宁波安芯美半导体有限公司	当前权利人	宁波安芯美半导体有限公司
发明人	齐胜利;郭丽彬;刘亚柱
代理机构	合肥和瑞知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	魏玉娇

摘要

本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种图形化氮化铝复合衬底、由该复合衬底制备的深紫外LED外延结构及该深紫外LED外延结构的制备方法。所述图形化氮化铝复合衬底由蓝宝石衬底、图形化氮化铝层组成，且图形化氮化铝层为表面压印有孔型图案的氮化铝层；所述深紫外LED外延结构结构从下到上依次由图形化氮化铝复合衬底、外延氮化铝层、n型AlGaN接触层、AlxGa1‑xN/AlyGa1‑yN多量子阱有源层、p型AlGaN层和p型GaN外延层。本发明通过匹配溅射氮化铝退火温度和纳米压印图形周期尺寸可以控制复合衬底上外延氮化铝的应力状态，制备几乎无应力的氮化铝薄膜，在此基础上的深紫外LED裂纹面积小、晶体质量高，因此良率高、光电性能优越。

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