阵列化光寻址电位传感器芯片及其制作方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810060771.4
IPC分类号：G01N33/50
申请日期：
2008-04-18
申请人：
浙江大学

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著录项信息

专利名称	阵列化光寻址电位传感器芯片及其制作方法
申请号	CN200810060771.4	申请日期	2008-04-18
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2008-09-17	公开/公告号	CN101266239
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N33/50 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N33/00 利用不包括在G01N 1/00至G01N 31/00组中的特殊方法来研究或分析材料 G01N33/48 生物物质，例如血、尿（G01N 33/02，G01N 33/26，G01N 33/44，G01N 33/46优先）；血球计数器（靠对一表面扫描来统计该表面上的血球数入G06M 11/02）〔3，4〕 G01N33/50 生物物质（例如血、尿）的化学分析；包括了生物特有的配体结合方法的测试；免疫学试验（除了免疫学试验以外包括酶或微生物，以及相应的组分或试纸的检测或试验，形成这些组分的工艺过程，在微生物的或酶的反应过程中反应条件的控制入C12Q）〔3，2006.01〕	IPC分类号	G;0;1;N;3;3;/;5;0查看分类表>
申请人	浙江大学	申请人地址	浙江省杭州市浙大路38号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	浙江大学	当前权利人	浙江大学
发明人	朱大中;戴春祥
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司	代理人	张法高

摘要

本发明公开了一种阵列化光寻址电位传感器芯片及其制作方法。它具有硅基片，在硅基片的正面设有多个敏感区域，在多个敏感区域周围的硅基片上设有正面重掺杂层，在多个敏感区域和正面重掺杂层上设有氧化层，在正面重掺杂层上的厚氧化层上设有片上电极，硅基片的背面设有背面重掺杂层，在背面重掺杂层上设有铝电极。本发明在制作过程中对敏感区域之间的硅基片进行了重掺杂，并在重掺杂层上生长厚氧化层，在厚氧化层上设置片上电极。本发明芯片可以增加涂覆敏感膜的自由度，片上电极能直接与外电路连接用于测量而不必另加电极，背面重掺杂层能使铝电极和硅基片形成很好的欧姆接触，制作过程采用的是标准的半导体工艺，保证了芯片性能的一致性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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