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一种用于晶圆减薄后卸片的装置

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201721617022.8
  • IPC分类号:H01L21/67
  • 申请日期:
    2017-11-28
  • 申请人:
    西安立芯光电科技有限公司
著录项信息
专利名称一种用于晶圆减薄后卸片的装置
申请号CN201721617022.8申请日期2017-11-28
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/67IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人西安立芯光电科技有限公司申请人地址
陕西省西安市高新开发区丈八六路56号2号楼1层 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人西安立芯光电科技有限公司当前权利人西安立芯光电科技有限公司
发明人苗宏周
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司代理人胡乐
摘要
本实用新型提出一种用于晶圆减薄后卸片的装置,不仅杜绝了晶圆N面划痕、卸片粘片现象,降低了晶圆碎片、裂片风险,同时也缩短了卸片时间,提高了卸片综合效率。晶圆的P面通过热剥离膜粘合在玻璃基板,晶圆的N面朝上,该装置包括冷板和非接触加热源,玻璃基板置于冷板上,所述非接触加热源位于晶圆以及玻璃基板的上方、面向晶圆N面。通过非接触远红外加热方式加热晶圆N面,砷化镓晶圆本身不吸收红外光,为全透射。热剥离膜升温速度快,加热均匀,反应充分,完全杜绝晶圆N面划痕及粘片现象,能够显著提高晶圆良率、晶圆卸片效率和砷化镓半导体芯片使用寿命。

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