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氮化物半导体衬底及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710195385.1
IPC分类号：H01L33/00;H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/205
申请日期：
2007-12-17
申请人：
斯尔瑞恩公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	氮化物半导体衬底及其制造方法
申请号	CN200710195385.1	申请日期	2007-12-17
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2008-06-25	公开/公告号	CN101207174
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;;;H;0;1;L;2;1;/;2;0;5查看分类表>
申请人	斯尔瑞恩公司	申请人地址	韩国庆尚北道变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	斯尔瑞恩公司	当前权利人	斯尔瑞恩公司
发明人	金杜洙;李浩准;金容进;李东键
代理机构	北京康信知识产权代理有限责任公司	代理人	章社杲;吴贵明

摘要

本发明涉及诸如氮化镓衬底的氮化物半导体衬底以及用于制造该衬底的方法。本发明在基底衬底的下表面上形成多个沟槽，所述多个沟槽被构造成吸收或降低当在基底衬底上生长氮化物半导体薄膜时沿从基底衬底中心部分朝向周缘部分的方向施加得越来越大的应力。即，本发明在基底衬底的下表面上形成沟槽，以使沿从基底衬底的中心部分朝向周缘部分的方向，间距逐渐变小或者宽度或深度逐渐变大。

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