一种焊盘结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201210261996.2
IPC分类号：H01L21/48;H01L23/488
申请日期：
2012-07-26
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种焊盘结构及其制备方法
申请号	CN201210261996.2	申请日期	2012-07-26
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2014-02-12	公开/公告号	CN103579008A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/48 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/48 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的单一小组都不包含的方法，在器件组装之前制造或处理部件，例如容器〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;8查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
发明人	彭冰清
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	董巍;高伟

摘要

本发明涉及一种焊盘结构及其制备方法，包括：提供具有顶部金属层和顶部通孔的叠层；在所述叠层上沉积第一钝化层；蚀刻所述第一钝化层，形成第一开口以露出所述顶部金属层；沉积焊盘金属层，通过所述第一开口与顶部金属层相连；平坦化所述焊盘金属层；蚀刻所述焊盘金属层的两侧部分，以露出所述第一钝化层；沉积第二钝化层；蚀刻所述第二钝化层形成第二开口，以露出所述焊盘金属层。本发明中在沉积焊盘金属材料层时，增加所述焊盘金属材料层的厚度，然后执行一平坦化步骤，使所述焊盘金属材料层的表面更加平整，在进行结合线焊接过程中，所述焊接线球与所述焊盘金属材料层表面的接触面积变大，粘合力更强。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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