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一种用于吸附Cd的生物质炭填埋层结构及Cd吸附监控方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010744148.1
  • IPC分类号:G01N1/08;G01N33/00;B09C1/00
  • 申请日期:
    2020-07-29
  • 申请人:
    四川省科源工程技术测试中心
著录项信息
专利名称一种用于吸附Cd的生物质炭填埋层结构及Cd吸附监控方法
申请号CN202010744148.1申请日期2020-07-29
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-10-02公开/公告号CN111735655A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G01N1/08IPC分类号G;0;1;N;1;/;0;8;;;G;0;1;N;3;3;/;0;0;;;B;0;9;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人四川省科源工程技术测试中心申请人地址
四川省成都市青羊区敬业路229号5栋1单元 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人四川省科源工程技术测试中心当前权利人四川省科源工程技术测试中心
发明人肖光莉;戚明辉;韩熙;徐强;朱双;勾琪立
代理机构成都乐易联创专利代理有限公司代理人张锐
摘要
一种用于吸附Cd的生物质炭填埋层结构及Cd吸附监控方法,涉及土壤修复及Cd吸附领域。包括取样柱、第一基底层、第二基底层、吸附层、第一覆盖层和第二覆盖层。吸附层由生物质炭构成。取样柱贯穿至吸附层。取样柱包括外管、转轴、转盘和取样管。转轴可转动地设于外管的管腔,转盘同转轴连接。取样管的尾端铰接于转盘。外管的管壁开设有取样口,取样管的取样端可滑动地配合于取样口。转轴用于带动转盘转动,以使取样管能够从取样口伸出,并随转盘进一步转动而缩回,从而完成取样。其结构简单、便于实施、实施难度低,能够有效地对土壤进行持续改善,吸附土壤中的Cd。

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