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半导体封装件及其制造方法

发明专利有效专利

申请号：
CN201310312895.8
IPC分类号：H01L23/31;H01L23/495;H01L21/56
申请日期：
2013-07-24
申请人：
三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体封装件及其制造方法
申请号	CN201310312895.8	申请日期	2013-07-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-12-11	公开/公告号	CN103441107A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/31 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/28 封装，例如密封层、涂覆物（H01L 23/552优先）〔2，5〕 H01L23/31 按配置特点进行区分的〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;1;;;H;0;1;L;2;3;/;4;9;5;;;H;0;1;L;2;1;/;5;6查看分类表>
申请人	三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社	申请人地址	江苏省苏州市工业园区国际科技园科技广场7楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星半导体（中国）研究开发有限公司,三星电子株式会社	当前权利人	三星半导体（中国）研究开发有限公司,三星电子株式会社
发明人	沈鹏
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	韩芳;李柱天

摘要

本发明提供了一种半导体封装件及其制造方法。所述半导体封装件包括：基板；芯片，位于基板上；多个键合焊盘，设置在芯片上；键合引线，将所述多个键合焊盘分别电连接到基板，其中，所述多个键合焊盘位于不同的水平面上。根据本发明的半导体封装件可以避免在将键合焊盘电连接到基板的过程中键合引线之间的短路。

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