加载中...
首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据,仅供参考,实际以国家知识产权局展示为准

一种改性BaTiO3/PI介电储能三层结构复合薄膜及制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201610806328.1
  • IPC分类号:C08J5/18;C08L79/08;C08K9/02;C08K3/24
  • 申请日期:
    2016-09-07
  • 申请人:
    哈尔滨理工大学
著录项信息
专利名称一种改性BaTiO3/PI介电储能三层结构复合薄膜及制备方法
申请号CN201610806328.1申请日期2016-09-07
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2017-02-15公开/公告号CN106397798A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C08J5/18IPC分类号C;0;8;J;5;/;1;8;;;C;0;8;L;7;9;/;0;8;;;C;0;8;K;9;/;0;2;;;C;0;8;K;3;/;2;4查看分类表>
申请人哈尔滨理工大学申请人地址
黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路52号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人哈尔滨理工大学当前权利人哈尔滨理工大学
发明人杨文龙;李海东;林家齐
代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所代理人杨立超
摘要
本发明公开了一种改性BaTiO3/PI介电储能三层结构复合薄膜及其制备方法,所述的改性BaTiO3/PI三层结构复合薄膜是由上下两层为改性BaTiO3纳米粒子所填充的PI复合材料和中间层为纯PI材料构成的。本发明采用原位聚合方法和涂膜工艺制备改性BaTiO3/PI三层结构复合薄膜。通过实验测试发现,该复合薄膜的介电综合性能优异,同时具有较高击穿场强和储能密度,使得它在电容器和储能器方面具有很大应用前景。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供