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太阳能电池的制作方法及太阳能电池

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310050811.8
  • IPC分类号:H01L31/18
  • 申请日期:
    2013-02-08
  • 申请人:
    上海凯世通半导体有限公司
著录项信息
专利名称太阳能电池的制作方法及太阳能电池
申请号CN201310050811.8申请日期2013-02-08
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2014-08-13公开/公告号CN103985779A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/18IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;1;8查看分类表>
申请人上海凯世通半导体有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区牛顿路200号7号楼1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海凯世通半导体股份有限公司当前权利人上海凯世通半导体股份有限公司
发明人金光耀;王懿喆;洪俊华
代理机构上海弼兴律师事务所代理人薛琦
摘要
本发明公开了一种太阳能电池的制作方法及太阳能电池,包括:步骤S1、采用离子注入的方式在一衬底上形成一PN结构;步骤S2、对该PN结构进行退火处理,并且在退火的同时通入氧气以在在该衬底的正面和背面上形成氧化膜;步骤S3、在该PN结构的背面设置一掩膜,未被该掩膜覆盖的区域为电极区域;步骤S4、在未被该掩膜覆盖的区域形成电极。本发明省去了原本的钝化和开孔的两道制程,简化了工艺步骤,并且由于不用额外的开孔步骤,也大大降低了碎片率。另外,该方法完全无需增加新的制程设备,降低了制作成本。

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