新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010619893.3
IPC分类号：H01L21/67;H01L21/683;H01L21/02;H01J37/32
申请日期：
2020-07-01
申请人：
上海邦芯半导体设备有限公司

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著录项信息

专利名称	新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法
申请号	CN202010619893.3	申请日期	2020-07-01
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-09-04	公开/公告号	CN111627843A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;3;;;H;0;1;L;2;1;/;0;2;;;H;0;1;J;3;7;/;3;2查看分类表>
申请人	上海邦芯半导体设备有限公司	申请人地址	上海市金山区卫昌路293号2幢12638室变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	上海邦芯半导体设备有限公司	当前权利人	上海邦芯半导体设备有限公司
发明人	吴堃;杨猛
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

一种新型边缘刻蚀反应装置和边缘刻蚀方法，装置包括：主体腔；位于所述主体腔内的可移动上电极和晶圆夹持平台，所述可移动上电极和所述晶圆夹持平台相对设置；位于所述主体腔内的且位于所述晶圆夹持平台侧部的射频隔离环；位于所述主体腔内的等离子体约束环，所述等离子体约束环位于所述可移动上电极的边缘区域的底部，所述等离子体约束环与所述射频隔离环之间具有间隙；所述可移动上电极与所述晶圆夹持平台和所述射频隔离环之间用于容纳晶圆。所述新型边缘刻蚀反应装置能够提高边缘刻蚀区域的刻蚀精度和刻蚀效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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